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Datasheet下载- 型号： BCW 68H E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BCW 68H E6327产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23两极晶体管 - BJT PNP 45 V 800 mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BCW 68H E6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e |
| 产品型号 | BCW 68H E6327 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 100mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BCW68HE6327INDKR |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 800mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | BCW68 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | BCW68HE6327HTSA1 SP000015040 |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
